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FDS4770：40V /13.2A N沟MOSFET

2002年12月20日 10:50

低导通电阻RDS(ON) = 7.5 mW @ VGS = 10V.低栅极电荷.开关速度快.雪崩能量大.可靠性高.SO8封装..最高结温175度C.可用在同步整流器.DC/DC转换器

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